강현우 | 기자 작성일 2026년 05월 05일
삼성전자가 이달 말 미국, 7월 국내에서 잇따라 반도체 위탁생산(파운드리) 생태계 강화 포럼을 개최합니다. 2나노(㎚·1㎚=10억분의 1m) 공정을 기반으로 테슬라 등 주요 빅테크 고객들의 칩 양산을 앞두고 있는 가운데, 회사가 올해 행사에서 어떤 새로운 전략을 내놓을지 업계의 이목이 집중되고 있습니다.
미국 새너제이서 ‘세이프 포럼 2026’ 개최
5일 업계에 따르면 삼성전자 파운드리사업부는 이달 28일(현지시간) 미국 캘리포니아 새너제이의 삼성 반도체 캠퍼스에서 ‘세이프 포럼 2026(SAFE Forum 2026)’을 개최합니다. 이어 7월 1일에는 서울 서초구 삼성전자 서초사옥에서 비공개로 세이프 포럼을 추가 진행할 예정입니다.
이 자리에서 삼성전자는 파운드리 기술 로드맵과 인공지능(AI) 반도체 생태계 강화 전략을 공식 발표하고, 파트너사 및 고객사와 향후 협력 방향을 공유할 계획입니다. 특히 미국에서 열리는 포럼에서는 신종신 파운드리 디자인 플랫폼 개발실장 부사장이 사업 현황 발표를 맡으며, 테슬라와 시놉시스, 퀄컴 등 주요 파트너사 핵심 인사들이 강연자로 나설 예정입니다.
‘세이프 포럼’이란
세이프 포럼은 삼성전자 파운드리사업부가 매년 주최하는 글로벌 행사로, 반도체 디자인 솔루션 파트너(SAFE: Samsung Advanced Foundry Ecosystem)들이 한자리에 모여 차세대 공정 로드맵과 협력 방안을 논의하는 무대입니다. 행사는 반도체 설계자산(IP), 전자설계자동화(EDA), 패키징, 클라우드 등 파운드리 가치사슬을 구성하는 다양한 파트너사와의 결속력을 보여 주는 자리로 평가됩니다.
1.4나노 양산 시점 2년 연기…“2나노 안정화 우선”
삼성전자는 지난해 세이프 포럼에서 1.4나노 공정 도입 시점을 기존 2027년에서 2029년으로 2년 연기한다고 발표한 바 있습니다. 무리하게 초미세 공정 진입을 서두르기보다는 2나노 공정의 수율 안정화를 통해 수익성 확보에 집중하겠다는 전략입니다. 당시 행사에서는 2나노 3세대(SF2P+) 공정 등 차세대 기술의 청사진도 함께 공개됐습니다.
2나노 양산, 올해 하반기 본격화
회사는 올해 하반기부터 2나노 2세대(SF2P) 공정으로 칩 양산을 시작하며, 내년에 가동할 SF2P+ 개발에도 속도를 내고 있습니다. 삼성전자는 3나노 공정부터 축적해 온 게이트올어라운드(GAA) 기술을 2나노에 적용해 기술 안정성을 한층 높이겠다는 구상입니다. 업계에서는 SF2P가 1세대 대비 클럭 속도 12% 향상, 전력 효율 25% 개선, 칩 면적 8% 축소 등의 성능 진전을 보였다는 분석이 나옵니다.
테슬라 AI 칩 협력으로 ‘적자 탈출’ 시동
삼성전자는 테슬라와의 AI 칩 협력을 강화하며 파운드리 사업의 적자 탈출 시동을 걸고 있습니다. 지난해 7월 테슬라의 차세대 AI 칩인 ‘AI6’ 수주를 공식화했으며, ‘AI5’ 칩과 ‘AI4’의 업그레이드 버전 생산도 함께 맡기로 했습니다.
AI5와 AI6에는 테슬라 전용 커스텀 파운드리 공정인 SF2T가 적용되며, 미국 텍사스주 테일러팹에서 내년부터 본격 양산이 개시될 것으로 전망됩니다. 테일러팹은 삼성전자가 미국 현지 공급망 강화를 위해 막대한 자본을 투자한 차세대 거점으로, 미국 내 첨단 반도체 생산 역량을 가늠하는 시금석으로 꼽힙니다.
자동차·데이터센터로 확산되는 협력
테슬라와의 대형 계약은 단순한 매출 기여를 넘어 삼성전자 2나노 공정의 양산 안정성에 대한 글로벌 산업계의 신뢰 신호로 해석됩니다. 자동차·데이터센터 등 단일 공급사 의존도가 높았던 분야의 다른 빅테크 고객들이 삼성을 새로운 파운드리 옵션으로 적극 검토하는 흐름이 확산되고 있다는 분석입니다.
TSMC와 갈리는 로드맵…공정 전쟁 본격화
경쟁사 TSMC가 내년부터 1나노급 초미세 공정 양산을 본격화하는 상황에서, 2나노에 집중한 삼성전자와의 공정 로드맵은 내년부터 크게 달라질 것으로 보입니다. TSMC는 1.4나노급 ‘A14’ 공정 양산을 2028년 시작한다고 공식 발표한 상태이며, 이는 같은 전력 기준 속도 10~15% 향상, 같은 속도 기준 전력 25~30% 절감, 집적도 20% 개선을 핵심 지표로 내세우고 있습니다.
업계에서는 이달 열리는 세이프 포럼에서 새로운 2나노 공정과 함께 1나노 등 차세대 초미세 공정에 대한 구체적인 전략이 발표될지 주목하고 있습니다. 삼성전자는 GAA 구조를 세계 최초로 3나노에 도입한 경험을 보유하고 있어, 2나노에서 처음 이 기술을 채택하는 TSMC 대비 숙련도 측면에서 우위를 점할 수 있다는 분석도 함께 나옵니다.
기업 소개
삼성전자는 메모리 반도체 세계 1위 사업자이자 글로벌 2위 파운드리 기업으로, 시스템반도체 분야에서 TSMC와 함께 첨단 미세공정 경쟁을 주도하고 있습니다. 회사는 메모리·시스템반도체·디스플레이·완제품에 이르는 수직 계열을 갖춘 점이 강점이며, 미국 텍사스 테일러팹과 한국 평택 캠퍼스를 양대 축으로 글로벌 파운드리 공급망을 확장하고 있습니다.
세이프 포럼은 이러한 삼성전자 파운드리 전략을 외부에 공유하는 가장 중요한 장으로, 행사에서 공개되는 로드맵은 향후 글로벌 AI 반도체 생태계의 흐름을 가늠할 핵심 지표로 작용할 전망입니다.